产品型号 | 应用拓扑 | 事情模式 | VDD规模 | 检测脚最大耐压(V) | 最大事情频率 | 内置MOS Rdson(Ω) | 内置MOS Bvdss(V) | 输出功率规模(W) |
S7302SL | 负端 | DCM/QR | 3V~6V | 40 | <100K | 22mΩ | 40V | ≤10W |
S7302S | 负端 | DCM/QR | 3V~6V | 40 | <100K | 20mΩ | 40V | ≤12W |
S7303S | 负端 | DCM/QR | 3V~6V | 40 | <100K | 15mΩ | 40V | ≤12W |
S7304S | 负端 | DCM/QR | 3V~6V | 40 | <100K | 8mΩ | 40V | ≤18W |
BP6221F | 负端 | DCM/QR | 3V~6.8V | 85 | <100K | 16mΩ | 85V | ≤18W |
BP6211B | 正端/负端 | DCM/CCM/QR | 4V~9V | 120 | <350K | 14mΩ | 60V | ≤20W |
BP6211BS | 正端/负端 | DCM/CCM/QR | 4V~9V | 120 | <350K | 14mΩ | 60V | ≤20W |
BP6211C | 正端/负端 | DCM/CCM/QR | 4V~9V | 120 | <350K | 8.3mΩ | 60V | ≤25W |
BP6211M | 正端/负端 | DCM/CCM/QR | 4V~9V | 120 | <350K | 9mΩ | 100V | ≤33W |
BP62110 | 正端/负端 | DCM/CCM/QR | 4V~9V | 120 | <350K | - | - | - |